Performance of SiC cascode JFETs under single and repetitive avalanche pulses
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Cascode Configuration Eases Challenges of Applying SiC JFETs
After explaining the basic operation of a SiC JFET plus silicon MOSFET cascode circuit, the dynamics of cascode switching will be discussed and the use of a QRR tester to evaluate the reverse-recovery characteristics of a cascode circuit will be explained. A comparison of the cascode’s reverse recovery with that of a SiC MOSFET reveals that the JFET cascode actually performs better than the SiC...
متن کاملSingle pulse avalanche robustness and repetitive stress ageing of SiC power MOSFETs
This paper presents an extensive electro-thermal characterisation of latest generation Silicon Carbide (SiC) power MOSFETs under Unclamped Inductive Switching (UIS) conditions. Tests are carried out to thoroughly understand the single pulse avalanche ruggedness limits of commercial SiC MOSFETs and assess their ageing under repetitive stress conditions. Both a functional and a structural charact...
متن کامل4H-SiC Single Photon Avalanche Diode for 280nm UV Applications
Jun Hu Xiaobin Xin, Petre Alexandrov, Jian H. Zhao, Brenda VanMil, D. Kurt Gaskill, Kok-Keong Lew, Rachael Myers-Ward, and Charles Eddy, Jr., 3) 1) SiCLAB, ECE Dept., Rutgers University, 94 Brett Road, Piscataway, NJ 08854, USA, [email protected] 2) United Silicon Carbide, Inc., 100 Jersey Ave., BLDG A, New Brunswick, NJ 08901, USA 3) Naval Research Laboratory, Code 6882, 4555 Overlook Ave ...
متن کاملdegradation of oil impregnated paper insulation under influence of repetitive fast high voltage impulses
در طی سالهای اخیراستفاده ازمنابع انرژی تجدید پذیر در شبکه های مدرن بنا به دلایل زیست محیطی و اقتصادی به طور گسترده استفاده شده است همچون نیروگاههای بادی و خورشیدی .ولتاژتولیدی این نیروگاهها اغلب به فرم dc می باشد وادوات الکترونیک قدرت به عنوان مبدل و پل بین شکل موج dc وac استفاده می شوند.این پروسه باعث ایجاد پالسهایی برروی شکل موج خروجی می شود که می تواند وارد تجهیزات قدرت همچون ترانسفورماتور ی...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Microelectronics Reliability
سال: 2020
ISSN: 0026-2714
DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113644